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AHI5000 Transmetteur de pression downhole

Transmetteur de pression compact et extrêmement robuste pour applications downhole sévères. Conçu pour des températures élevées et des pressions jusqu’à 2000 bar avec une excellente stabilité à long terme.

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Caractéristiques principales

  • Technologie silicon-on-sapphire
  • Pression jusqu’à 2000 bar
  • Température jusqu’à 200°C
  • Matériaux certifiés NACE
  • Construction entièrement soudée
  • RTD platine intégrée

Performances et stabilité

Le transmetteur de pression downhole AHI5000 est conçu pour la mesure de pression dans des environnements extrêmes tels que les puits pétroliers, gaziers et géothermiques. La technologie silicon-on-sapphire offre une stabilité exceptionnelle à long terme, une hystérésis quasi nulle et une résistance élevée aux surpressions.

Avec des plages de mesure allant jusqu’à 2000 bar et une température de fonctionnement jusqu’à 200°C, il garantit des mesures précises et répétables dans les conditions les plus exigeantes.

Conditions d’utilisation

Fabriqué en titane grade 5 certifié NACE et en alliages BT9, le AHI5000 assure une résistance élevée à la corrosion dans des environnements agressifs. Sa construction hermétique entièrement soudée protège le capteur contre les chocs, les vibrations et les pics de pression.

Sa conception compacte (longueur maximale 60 mm) facilite l’intégration dans des outils de forage et des espaces restreints.

Applications possibles

  • Surveillance de pression en fond de puits
  • Puits géothermiques
  • Bancs d’essais haute pression
  • Systèmes hydrauliques souterrains
  • Process industriels en environnement sévère

Avantages de choisir ce produit

Pour les ingénieurs confrontés à des environnements extrêmes, le AHI5000 offre un équilibre optimal entre robustesse et précision. La membrane en saphir liée moléculairement améliore la résistance aux surcharges tout en maintenant une grande exactitude sur une large plage de températures.

Chaque capteur est livré avec un certificat d’étalonnage incluant un modèle polynomial du 5e ordre pour une intégration système précise.

Autres caractéristiques importantes

  • Alimentation 3–10 VDC (5 V nominal)
  • Sensibilité 10–20 mV/V nominale
  • ±0,150 % non-linéarité (BFSL)
  • ±0,20 % erreur totale
  • Pression d’épreuve jusqu’à 200 %
  • Pression d’éclatement jusqu’à 300 %
  • RTD platine classe A

 

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Spécifications techniques

Spécifications Valeur
Technologie capteur Silicon-on-sapphire
Plage de pression 0–400 à 0–2000 bar
Pression d’épreuve 110–200 %
Pression d’éclatement 150–300 %
Alimentation 3–10 VDC (5 V nominal)
Résistance d’entrée 4000Ω ±1000Ω
Résistance de sortie 4000Ω ±1000Ω
Signal à zéro ±8,0 mV/V
Sensibilité 10–20 mV/V nominale
Température de service -40°C à +200°C
Température calibrée +24°C à +180°C
Non-linéarité ±0,150 % BFSL
Erreur totale ±0,20 % de l’étendue
Fluide compatible Titane grade 5 & BT9 certifiés NACE
Raccord process 3/8-24 UNJF-3A
Résistance d’isolement 100 MΩ min @ 50 VDC
RTD 1000Ω classe A
Couple de serrage 14–17 Nm
Poids 20 g max

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